【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。有源区(active area)是衬底上形成器件的主要区域，其可为器件的形成提供基础。
2、多个有源区是通过隔离结构进行隔离的，目前，在形成多个有源区时，由于工艺上的限制，在部分区域上形成的隔离结构的结构完整性较差，导致最终形成的有源区内的局部关键尺寸的均匀性较差，影响后续器件的形成质量和性能。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，提供了一种半导体结构的形成方法，通过该方法形成的目标掩膜图案，结构完整性高进而提升了器件有源区的局部关键尺寸均匀性。
2、本公开的其他特性和优点将通过下...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一掩膜孔和所述第二掩膜孔之前，所述形成方法还包括：
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一掩膜孔和所述第二掩膜孔之前，所述形成方法还包括：
4.根据权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，在蚀刻所述第三掩膜层的过程中，所述第三掩膜层的蚀刻速率大于或等于所述第四掩膜层的蚀刻速率，且所述第三掩膜层的厚度小于或等于所述第四掩膜层的厚度。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一掩膜孔和所述第二掩膜孔之前，所述形成方法还包括：
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一掩膜孔和所述第二掩膜孔之前，所述形成方法还包括：
4.根据权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，在蚀刻所述第三掩膜层的过程中，所述第三掩膜层的蚀刻速率大于或等于所述第四掩膜层的蚀刻速率，且所述第三掩膜层的厚度小于或等于所述第四掩膜层的厚度。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层的材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：许向生，刘国全，韩武豪，吕晖，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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