温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：形成有源层；在有源层的一侧形成包括第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层的掩膜材料层；第一掩膜层包括多个间隔分布的掩膜结构；第二掩膜层位于第一掩膜层远离所述有源层的一侧，且...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。