【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路设计和制造领域，尤其涉及一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构。
技术介绍
1、在大规模集成电路中，鳍式场效应晶体管通过鳍部（fin）作为沟道由栅极控制，可以极大加强静态电路控制，以及减少漏电和短沟道效应的影响。
2、但随着尺寸微缩，鳍部的结构逐渐向更窄更高的方向发展，这样会放大一些结构上的弱点，比如鳍部错位、鳍部翘曲等；而在更先进节点下的鳍式场效应晶体管，会对这些弱点更加敏感，造成漏电的加剧，而这些弱点通常是有结构应力跟物理损伤引起的。其中，浅沟槽隔离介电薄膜（sti fcvd）跟栅极切断结构（poly cut）的不对称应力会引起鳍部的翘曲，尤其是在单根鳍部的结构上更为严重。具体可参考图2，鳍部位于栅极（poly）中的上部分和位于浅沟槽隔离介电薄膜（sti fcvd）中的下部分，两者之间的应力分布（用箭头标示）引起的鳍部上下部分间的翘曲错位。
3、在目前的鳍式场效应晶体管中，栅极切断结构一般采用方形结构，浅沟槽隔离介电薄膜一般采用臭氧照射（o3curve）固化，并没有关注到由栅极切断...
【技术保护点】
1.一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，所述栅极切断结构的倒梯形结构，是指沿着栅极延伸方向剖析得到的栅极切断结构横截面为倒梯形结构；
3.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，所述叠层薄膜，包括氮化硅和二氧化硅叠层依次叠层生长形成的薄膜；
4.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，所述栅极切断结构采用氮源和硅源叠层沉积形成的叠层薄膜填充，包括：
5.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍...
【技术特征摘要】
1.一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，所述栅极切断结构的倒梯形结构，是指沿着栅极延伸方向剖析得到的栅极切断结构横截面为倒梯形结构；
3.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，所述叠层薄膜，包括氮化硅和二氧化硅叠层依次叠层生长形成的薄膜；
4.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，所述栅极切断结构采用氮源和硅源叠层沉积形成的叠层薄膜填充，包括：
5.根据权利要求1所述的一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，所述栅极切断结构采用氮源和硅源叠层沉积形成的叠层薄膜填充，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：查天庸，苌文龙，
申请(专利权)人：广立微上海技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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