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本发明涉及一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构,包括:提供衬底;在所述衬底上沉积有浅沟槽隔离介电薄膜;在所述衬底上形成有鳍部,且鳍部从所述浅沟槽隔离介电薄膜的上表面突出;在所述衬底上还沉积有栅极,栅极横跨所述鳍部;在所述栅极中形成有...该专利属于广立微(上海)技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广立微(上海)技术有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构,包括:提供衬底;在所述衬底上沉积有浅沟槽隔离介电薄膜;在所述衬底上形成有鳍部,且鳍部从所述浅沟槽隔离介电薄膜的上表面突出;在所述衬底上还沉积有栅极,栅极横跨所述鳍部;在所述栅极中形成有...