【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请案系关于存储器架构，更特定地来说，关于包括非易失性(NV)存储器单元 的存储器架构。
技术介绍
下列说明与范例仅给定作为背景知识。可编程非易失性存储器(NVM)使用在许多应用中，因为他们保留了经储存的资 讯，即便当电力已经从存储器中移除。有许多不同型式的可编程非易失性存储器，包括但不 限于可编程只读存储器(PR0M)、电气可抹除ROM(EEPROM)与快闪存储器。该等存储器型 式具有电荷储存的多种方法，该等方法包括但不限于将电荷放置在浮动栅极或硅-氧化 物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)储存材料或节点上。与其他型式的存储器类似的是，可 编程NVM通常建构为以列与行配置的位元单元阵列。每一个位元单元可以包括一或两个电 晶体(也就是IT或2T单元)。在程式化期间，电荷注入该电晶体其中之一的储存节点。该 注入电荷保存在储存节点，直到位元单元被抹除。快闪存储器是一种型式的非易失性存储器，使用浮动栅极位元单元构造。该位元 单元包括至少一个电晶体(也就是浮动栅极电晶体)，该电晶体具有控制栅极与浮动栅极。 该控制栅极用来适当地偏压该电晶体以用于读取、程式化与抹除，而浮...
【技术保护点】
一种存储器架构，其特征在于，包含：非易失性存储器单元的阵列；及一对独立控制电压泵，该等泵耦合以用于在程式化与抹除操作期间供应正负偏压给存储器阵列，如此一来正负偏压之量的总和会施加跨越于所存取的存储器单元的储存节点上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：莱恩希洛斯，斐德列克杰能，维杰司林尼瓦莎拉哈凡，伊葛葛兹尼索夫，保罗露丝，克里斯堤涅松特，波丹乔治克，里奥那德吉特兰，詹姆士迈尔斯，
申请(专利权)人：赛普拉斯半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。