半导体结构及制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构及制造方法，通过在包括有用于制作具有第一耐压能力的晶体管的第一区域和用于制作具有第二耐压能力的晶体管的第二区域的半导体衬底表面生成覆盖层；在所述覆盖层表面形成第一图形化保护层，在所述第一图形化保护层的暴露的区域执行第一掺杂制程；去除所述第一图形化保护层，保留所述覆盖层；在所述覆盖层表面形成第二图形化保护层，在所述第二图形化保护层的暴露的区域执行第二掺杂制程；去除所述第二图形化保护层，保护有源区表面在离子化金属等离子体掺杂和清洗过程中不暴露于空气中而不被侵蚀，可有效保护有源区整体高度的均匀性，提高设备的稳定性，提升器件良率及可靠性，延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及制造方法。

技术介绍

1、在有源区的制造中，当制造栅极结构过程中，需要先对用于制作具有低耐压能力的晶体管执行低掺杂漏(lightly doped drain，简称ldd)制程，再对用于制作具有高耐压能力的晶体管执行高掺杂(high doped，简称hd)制程。在低掺杂漏制程和高掺杂制程中还包括光刻工艺和离子注入工艺，并且都需要进行湿法清洗，因此有源区会经历多次的湿法清洗。但是湿法清洗的溶液中混有弱碱性物质(例如氢氧化铵，化学式为nh4oh)，这些弱碱性物质会消耗掉有源区上方暴露的氧化层，当氧化层全部消耗完后，有源区会暴露并被自然氧化，并被下一次的湿法清洗消耗，使得所述有源区表面被不断侵蚀。进而导致位于多晶硅下方的有源区的高度与周围区域存在差异，影响设备的稳定性。

2、如何提供一种有源区的制造方法，能够保护有源区在掺杂制程中不被侵蚀，是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体结构及制造方法，能够保护有源区在掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域表面形成有连续分布的第一栅氧材料层，所述第二区域表面形成有连续分布的第二栅氧材料层，所述的在所述半导体衬底表面生成覆盖层的步骤前，还包括：去除所述半导体衬底表面暴露的所述第一栅氧材料层和所述第二栅氧材料层，所述第一栅电极底部剩余的所述第一栅氧材料层形成所述第一栅氧层，所述第二栅电极底部剩余的所述第二栅氧材料层形成所述第二栅氧层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述半导体衬底表面暴露的所述第一栅氧材料层和所述第二栅氧材料层。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域表面形成有连续分布的第一栅氧材料层，所述第二区域表面形成有连续分布的第二栅氧材料层，所述的在所述半导体衬底表面生成覆盖层的步骤前，还包括：去除所述半导体衬底表面暴露的所述第一栅氧材料层和所述第二栅氧材料层，所述第一栅电极底部剩余的所述第一栅氧材料层形成所述第一栅氧层，所述第二栅电极底部剩余的所述第二栅氧材料层形成所述第二栅氧层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述半导体衬底表面暴露的所述第一栅氧材料层和所述第二栅氧材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅电极和所述第二栅电极的材料是多晶硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积在所述半导体衬底表面生成覆盖层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图形化保护层暴露的区域为所述第一区域中所述第一栅电极两侧的区域，所述第二图形化保护层暴露的区域为所述第二区域中所述第二栅电极两侧的区域；或者，

8.根据权利要求1所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭秋生，丁甲，张继伟，王鲁钦，张培茹，胡林辉，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：