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本发明提供了一种半导体结构及制造方法，通过在包括有用于制作具有第一耐压能力的晶体管的第一区域和用于制作具有第二耐压能力的晶体管的第二区域的半导体衬底表面生成覆盖层；在所述覆盖层表面形成第一图形化保护层，在所述第一图形化保护层的暴露的区域执行...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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