【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备的，具体涉及了一种混气输送结构，以及一种半导体器件的工艺设备。
技术介绍
1、在现有技术中，原子层沉积(atomic layer deposition，ald)的制程过程如下：首先进行前驱体吸附，将第一种前驱体引入反应腔，使其在晶圆表面形成单层吸附层。然后，进行脉冲清洗，通过惰性气体清洗未吸附的前驱体分子和副产物。之后，反应生成薄膜，通过引入第二种前驱体，使其与晶圆表面吸附的第一前驱体发生化学反应，生成一个原子层的薄膜。最后，重复循环上述3个步骤，通过交替引入第一种前驱体和第二种前驱体，逐层沉积薄膜，直到薄膜达到所需厚度。从上述ald的制程过程可以看出，在极短的循环时间内，前驱体吸附的均匀性，以及每一次前驱体注入到晶圆表面的速度是两个极其重要的参数。
2、此外，设备中前驱体一般分为气态，液态或者固态三类，一般沉积制程会含有其中的一种到两种或者三种皆有。多种前驱体由钢瓶经过管路输入到真空的反应腔内部，再通过喷淋板或者其他结构将前驱体分散到晶圆表面，进行沉积等工艺处理。沉积出来的膜的质量与前驱体在晶圆表面...
【技术保护点】
1.一种混气输送结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，所述破气塞与所述基体之间环形口为第一进气口，用于通入所述第一工艺气体。
3.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，所述破气塞的侧壁分布多个多高度的所述破气孔。
4.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，所述基体的出气口包括上窄下宽的锥形出气通道，以供所述第一工艺气体和所述第二工艺气体的混合气体高速射出。
5.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的混气输送结构，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种混气输送结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，所述破气塞与所述基体之间环形口为第一进气口，用于通入所述第一工艺气体。
3.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，所述破气塞的侧壁分布多个多高度的所述破气孔。
4.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，所述基体的出气口包括上窄下宽的锥形出气通道，以供所述第一工艺气体和所述第二工艺气体的混合气体高速射出。
5.如权利要求1所述的混气输送结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的混气输送结构，其特征在于，所述夹缝通道为间隙均等的平行通道，或中间间隙大，边缘间隙小的异形通道。
7.如权利要求5所述的混气输送结构，其特征在于，所述喷淋上板的下表面与水平...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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