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本发明公开了一种混气输送结构和半导体器件的工艺设备。该混气输送结构包括：基体，位于反应腔的进气口，其内部插入破气塞，其中，所述破气塞与所述基体之间保持一狭缝；以及所述破气塞，其侧壁上设有多个破气孔，注入所述破气塞内的第二工艺气体经由所述多个...
该专利属于拓荆科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆科技（上海）有限公司授权不得商用。

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