【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制备相关，具体地说，涉及一种sic器件欧姆接触的制备方法及sic器件。
技术介绍
1、碳化硅(silicon carbide，简称sic)相比于硅，具有更宽的禁带宽度、更高的导热系数、更高的击穿电压、更高的载流子饱和漂移速度、等温条件下具有极低的本征载流子等优异性能，从而适合在更高电压、大电流和高温状态下工作。综合各个优异性能，碳化硅晶圆在各个领域均具有极大的价值和极大的潜力。
2、为提高sic功率器件的漏源电压和降低通态电阻，功率器件的设计一般采用纵向结构，在晶圆表面制作栅源元胞结构，晶圆背面淀积金属形成漏极。背面金属与半导体接触要求形成欧姆接触以降低导通电阻并且还要有良好的粘附性以保证封装的可靠性。
3、为保证碳化硅晶圆正面工艺不受影响，当前n型sic功率器件晶圆背面的欧姆接触的制造通常先使用磁控溅射在晶圆背面淀积ni金属薄膜，再利用激光脉冲进行快速热退火形成nisi合金，其中nisi合金被认为是形成欧姆接触的关键。虽然上述方式形成的欧姆接触电阻率可以达到10-6ω·cm2，但是nis...
【技术保护点】
1.一种SiC器件欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的SiC器件欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述激光脉冲的能量密度为3.0-7.0J/cm2。
3.根据权利要求1所述的SiC器件欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述激光脉冲的脉宽为20-100ns。
4.根据权利要求1所述的SiC器件欧姆接触的制备方法，其特征在于，采用溅射沉积工艺沉积所述Ni膜层；和/或
5.根据权利要求1所述的SiC器件欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述Ni膜层的厚度在80-120nm。
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