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本发明提供了一种SiC器件欧姆接触的制备方法及SiC器件，所述制备方法包括如下步骤：提供n型SiC衬底，在所述n型SiC衬底形成欧姆接触的表面沉积Ni膜层；利用激光脉冲对所述Ni膜层进行退火形成NiSi膜层；采用湿法腐蚀工艺去除NiSi膜层...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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