半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，先对光刻胶层进行光刻处理，以在光刻胶层中形成开口；然后，形成掩膜层，掩膜层填满开口并延伸覆盖光刻胶层的顶表面，掩膜层的感光波段与光刻胶层的感光波段不同，或者，掩膜层的材质与光刻胶层的材质不同；接着，对掩膜层和光刻胶层进行加热处理，以使掩膜层与光刻胶层的接触面融合而形成保护层，保护层覆盖开口的侧壁和光刻胶层的顶表面；接着，去除掩膜层，以暴露出开口的底部；之后，测量开口底部的线宽。由于保护层覆盖开口的侧壁和光刻胶层的顶表面，在测量开口的底部的线宽时，保护层能够有效阻挡光刻胶层的轮廓发生变化，由此避免光刻胶层中的开口的轮廓发生变化，进而避免开口的线宽发生变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

1、在半导体器件的制造过程中，光刻工艺(photolithography process)是制作集成电路(integrated circuit)最重要的工艺步骤之一，光刻工艺用于在衬底上形成期望的图案，随着集成电路工艺的发展以及半导体元件的特征尺寸(critical dimension)的不断缩小，对光刻工艺的精度的要求越来越高。因此，在对光刻胶层进行光刻处理之后，通过会对形成于光刻胶层中的开口的线宽进行量测，然而，在量测开口的线宽时，如果光刻胶层对量测设备发射的电子束较为敏感，则会导致光刻胶层的曝光区域的边界向外扩展，从而导致光刻胶层中的开口的轮廓发生变化，即会导致开口的线宽变大，进而导致测量数据相较于实际线宽偏大，无法精准的获取光刻胶层中的开口的线宽。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，在测量光刻胶层中的开口的线宽时，能够避免由光刻胶层轮廓发生变化而导致的开口线宽变化的问题。

<p>2、为实现上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述加热处理的温度为90℃～130℃。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层为电子束光刻胶层，对所述光刻胶层进行光刻处理的方法包括：

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为正性紫外光刻胶层、正性离子束光刻胶层或者正性X射线光刻胶层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述掩膜层的方法包括：

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述加热处理的温度为90℃～130℃。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层为电子束光刻胶层，对所述光刻胶层进行光刻处理的方法包括：

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为正性紫外光刻胶层、正性离子束光刻胶层或者正性x射线光刻胶层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述掩膜层的方法包括：

6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔德权，杨宇，王浩，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：