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半导体器件的制造方法技术
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文档序号:43990953
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本发明提供一种半导体器件的制造方法,先对光刻胶层进行光刻处理,以在光刻胶层中形成开口;然后,形成掩膜层,掩膜层填满开口并延伸覆盖光刻胶层的顶表面,掩膜层的感光波段与光刻胶层的感光波段不同,或者,掩膜层的材质与光刻胶层的材质不同;接着,对掩膜...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。
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