【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁性存储器元件，特别是涉及一种具有多层结构的盖层的磁阻式随机存取存储器。
技术介绍
1、磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)为近年来获得高度关注的一种新式存储器，其整合了目前各式存储器的优点，例如可比拟静态随机存取存储器(sram)的存取速度、快闪存储器(flash)的非易失性与低耗电、动态随机存取存储器(dram)的高密度以及耐久性，而且可与目前半导体后段制作工艺整合制作，因此有潜力成为半导体芯片主要使用的存储器。
2、磁阻式随机存取存储器包括设置在上、下层内连线结构之间的一存储器堆叠结构，其中包括一磁隧穿结(magnetic tunneling junction,mtj)。不同于传统存储器是通过存储电荷来存储数据，磁阻式随机存取存储器的操作是通过对磁隧穿结施以一外加磁场来控制磁隧穿结的磁化方向而获得不同的隧穿磁阻(tunneling magnetoresistive,tmr)来存储数字数据。如何改善元件的热稳定性，数据的可靠度并延长...
【技术保护点】
1.一种磁性存储器元件，包括：
2.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该隧穿能障层包括氧化镁(MgO)。
3.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该参考层以及该自由层分别包括钴铁硼(CoFeB)。
4.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该金属底层包括钽(Ta)。
5.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该氧化物盖层包括氧化镁(MgO)、氧化钽(TaO)，或其组合。
6.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该金属底层的厚度介于3至5埃之间。
7.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该...
【技术特征摘要】
1.一种磁性存储器元件，包括：
2.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该隧穿能障层包括氧化镁(mgo)。
3.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该参考层以及该自由层分别包括钴铁硼(cofeb)。
4.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该金属底层包括钽(ta)。
5.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该氧化物盖层包括氧化镁(mgo)、氧化钽(tao)，或其组合。
6.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该金属底层的厚度介于3至5埃之间。
7.如权利要求1所述的磁性存储器元件，其中该氧化物盖层的厚度介于3至10...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠翔，王意晴，陈纬，程家甫，杨钧耀，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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