一种阳极保护制备Real RGB OLEDoS的方法技术

技术编号:43932110 阅读:16 留言:0更新日期:2025-01-07 21:26
本发明专利技术提供了一种阳极保护制备Real RGB OLEDoS的方法,属于半导体技术领域。本发明专利技术提供了一种阳极保护制备Real RGB OLEDoS的方法,本发明专利技术先形成第一介电材料层(200),再利用光刻刻蚀去胶工艺分别进行第一刻蚀、第三刻蚀和第五刻蚀,露出所述子像素区的阳极结构(110),实现了对阳极的保护,提高了Real RGB OLEDoS的质量和成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种阳极保护制备real rgb oledos的方法。


技术介绍

1、硅基oled(oledos)微显示器目前的主流技术方案为白光oled(woled)发光,通过滤光片(cf)产生rgb三色实现全彩显示,该技术的主要问题是效率低及子像素间串扰问题严重。real rgb结构为r/g/b三色oled分别在对应的子像素上,具体结构示意图如图1所示,该结构由于不使用cf,故效率远高于传统的woled+cf方案。另外合理的real rgb结构还能有效地减少子像素间地串扰问题。

2、现有技术,如中国专利cn115720461a公开了一种硅基oled微显示器的制备方法,包括步骤在硅基板上制备cmos驱动电路,在cmos驱动电路上制备阳极层,在阳极层上制备oled膜层、阴极层和光学覆盖层,存在阳极材料易于受到损坏的问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种阳极保护制备real rgb oledos的方法,能够实现阳极材料的保护。

2、为了实现上述专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阳极保护制备Real RGB OLEDoS的方法,其特征在于,所述Real RGB OLEDoS包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一介电材料层(200)和第二介电材料层(400)的材质独立地包括氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和Al2O3中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导体材料层(300)的材质包括导电金属氧化物和/或导电金属;所述导电金属氧化物包括氧化铟锡和/或铟锌氧化物;所述导电金属包括Ag、Al、Mo、W、Cu和Au中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述O...

【技术特征摘要】

1.一种阳极保护制备real rgb oledos的方法,其特征在于,所述real rgb oledos包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一介电材料层(200)和第二介电材料层(400)的材质独立地包括氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和al2o3中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导体材料层(300)的材质包括导电金属氧化物和/或导电金属;所述导电金属氧化物包括氧化铟锡和/或铟锌氧化物;所述导电金属包括ag、al、mo、w、cu和au中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述oled功能材料层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:许亦鹏吴迪吴远武陈小童李阳
申请(专利权)人:湖畔光芯半导体江苏有限公司
类型:发明
国别省市:

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