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本发明公开一种磁性存储器元件，包括一磁隧穿结叠层以及一盖层。该磁隧穿结叠层包括一参考层、一隧穿能障层，位于该参考层上，以及一自由层，位于该隧穿能障层上。该盖层设置在该磁隧穿结叠层上，并且包括一金属底层，直接接触该自由层、一氧化物盖层，位于该...
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