一种功率半导体制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其是一种功率半导体制造方法，包括以下步骤：S100，利用超声端子键合机的超声能量，将引脚框架键合在DBC板上；所述引脚框架上设有若干引脚；S200，对DBC板进行推拉力测试；S300，对DBC板进行除静电和吹扫处理；S400，在DBC板上贴装若干芯片，并在DBC板与各芯片间以及芯片与芯片间键合金属线，形成DBC板与芯片的电连接以及芯片与芯片的电连接；S500，对DBC板上的芯片和金属线进行灌胶处理，并对DBC板进行固化处理；S600，对DBC板进行切筋处理。采用本方案，能够避免芯片焊接时高温产生的热应力对引脚键合区的影响，提高产品功率引脚键合良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种功率半导体制造方法。

技术介绍

1、在现代电子制造业中，功率半导体模块的可靠性和生产效率是至关重要的。这些模块通常包括多个功率芯片，它们需要通过精确的电气连接来协同工作，以确保整个系统的性能和稳定性。传统的连接方法主要依赖于超声键合技术和焊接技术，但这些方法在实际应用中存在一些显著的问题和挑战。

2、超声键合技术是一种利用高频振动能量来实现金属间连接的方法。它通过施加超声波能量，使金属表面产生塑性变形，从而形成牢固的金属键。这种方法在微电子封装领域得到了广泛应用，尤其是在连接微小的功率芯片时。然而，当涉及到具有较大面积和厚度的功率引脚时，超声键合的效率和可靠性就会受到影响。由于功率引脚的尺寸较大，超声能量可能无法均匀地传递到整个接触面，导致键合不完整，出现空隙，从而降低了连接的强度和稳定性。

3、焊接技术是另一种常用的连接方法，特别是在需要连接大面积和厚截面的部件时。然而，焊接过程中使用的焊料容易产生空洞，这不仅会降低连接的机械强度，还可能导致电气性能不稳定。此外，焊接过程本身的复杂性、高成本以及对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的功率半导体制造方法，其特征在于：S100包括：

3.根据权利要求2所述的功率半导体制造方法，其特征在于：S104中，调整超声端子键合机的键合频率范围在20kHz至25kHz内，形变量范围在150um至240um内。

4.根据权利要求1所述的功率半导体制造方法，其特征在于：S200中，采用推力测试仪对键合后的DBC板进行推拉力测试，将键合后的DBC板放置于推力测试仪上，通过推力测试仪对引脚施加垂直于DBC板方向的推拉力。

5.根据权利要求1所述的功率半导体制造方法...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的功率半导体制造方法，其特征在于：s100包括：

3.根据权利要求2所述的功率半导体制造方法，其特征在于：s104中，调整超声端子键合机的键合频率范围在20khz至25khz内，形变量范围在150um至240um内。

4.根据权利要求1所述的功率半导体制造方法，其特征在于：s200中，采用推力测试仪对键合后的dbc板进行推拉力测试，将键合后的dbc板放置于推力测试仪上，通过推力测试仪对引脚施加垂直于dbc板方向的推拉力。

5.根据权利要求1所述的功率半导体制造方法，其特征在于：s300中，将dbc板放置在高负离子环境下进行除静电处理。

6.根据权利要求1所述的功率半导体制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈尧，王友强，廖光朝，
申请(专利权)人：重庆云潼车芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：