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本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种功率半导体制造方法,包括以下步骤:S100,利用超声端子键合机的超声能量,将引脚框架键合在DBC板上;所述引脚框架上设有若干引脚;S200,对DBC板进行推拉力测试;S300,对DBC板进行除静电和吹扫处...该专利属于重庆云潼车芯电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过重庆云潼车芯电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种功率半导体制造方法,包括以下步骤:S100,利用超声端子键合机的超声能量,将引脚框架键合在DBC板上;所述引脚框架上设有若干引脚;S200,对DBC板进行推拉力测试;S300,对DBC板进行除静电和吹扫处...