一种减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，属于LED和光通讯技术领域。该工艺包括：(1)将晶圆置于剥离单元，使用高压去胶喷嘴向晶圆喷射高压药液，常压喷嘴跟随高压喷嘴的后面扫描晶圆边缘；(2)使用常压喷嘴进行药液喷洒，使晶圆上残留光刻胶得到充分的溶解；(3)将晶圆转动速度调整为1000‑2000r/min，旋转5‑20s，以减少晶圆表面残留药液；(4)晶圆水洗；(5)晶圆甩干。该工艺可以避免剥离的碎屑划伤晶圆，进而避免对产品导电性能造成不良影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led和光通讯，具体涉及一种减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺。

技术介绍

1、在led光电器件领域中，制备发光二极管的电极引出的剥离工艺为：埋好pn节的底材，通过涂胶和显影工艺，将晶圆的底层电极露出，再通过蒸镀工艺制作导电金属层(如al层)，蒸镀工艺完成以后，需要将光刻胶和光刻胶以上的蒸镀金属剥离掉。传统的剥离工艺为蓝膜胶带粘附在晶圆正面，晶圆背面用真空吸盘吸牢固，通过蓝膜胶带的粘附力将部分光刻胶和待剥离的金属通过外力作用撕掉，如果撕掉的过程中有静电击穿，或者是重复性压伤，均会影响最终产品的导电性能及良率。

2、另一种剥离工艺为单片式高压剥离工艺，将晶圆固定在旋转吸盘上，通过晶圆的高速旋转和高压射流的压力作用下，实现金属电极的剥离，这种方法会造成未被及时甩掉的残余剥离金属的相互摩擦，导致一定量的电极划伤。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述不足之处，本专利技术的目的在于提供一种减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，该工艺可以避免剥离的碎屑划伤晶圆，进而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：该工艺针对已涂覆光刻胶且经曝光、显影并蒸镀金属膜层的晶圆进行金属剥离处理，所述金属剥离处理是将晶圆先置于剥离单元进行金属剥离，再置于清洗单元进行清洗和甩干；该工艺具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：所述蒸镀的金属膜层为铝、金、镍、银和铬中的一种或几种，厚度为1-8μm。

3.根据权利要求1所述的减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：所述剥离单元包括去胶腔体，去胶腔体内设有可旋转承片台以及安装在同一摆臂上的高压去胶喷...

【技术特征摘要】

1.一种减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：该工艺针对已涂覆光刻胶且经曝光、显影并蒸镀金属膜层的晶圆进行金属剥离处理，所述金属剥离处理是将晶圆先置于剥离单元进行金属剥离，再置于清洗单元进行清洗和甩干；该工艺具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：所述蒸镀的金属膜层为铝、金、镍、银和铬中的一种或几种，厚度为1-8μm。

3.根据权利要求1所述的减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：所述剥离单元包括去胶腔体，去胶腔体内设有可旋转承片台以及安装在同一摆臂上的高压去胶喷嘴和常压喷嘴；其中：所述常压喷嘴的喷射方向垂直于晶圆表面，所述高压去胶喷嘴的喷射方向与晶圆垂直方向的夹角为10-30°。

4.根据权利要求3所述的减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：所述高压去胶喷嘴为针状喷嘴，针状喷嘴端部直径0.1-0.2mm；所述常压喷嘴为柱状喷嘴。

5.根据权利要求1所述的减少晶圆压伤划伤的液膜伴随保护的金属剥离工艺，其特征在于：步骤(1)采用高压去胶喷嘴喷洒药液过程中，高压去胶喷嘴的喷射方式为由晶圆的边缘向中心往复扫描，晶圆转动转速为300-1000rpm，高压药液喷射时间0.1-5s...

【专利技术属性】
技术研发人员：李孝令，李恒，朴勇男，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：