双面冷却型功率半导体封装制造技术

本发明专利技术涉及双面冷却型功率半导体封装，其包括：板状的功率半导体封装；散热件，沿所述功率半导体封装的厚度方向分别设置在两侧；以及复数个冷却通道，在内部设置有冷却流体的流路，沿所述功率半导体封装的厚度方向分别设置在两侧；在复数个所述冷却通道分别设置有贯穿部，所述贯穿部贯穿为供所述散热件的一区域能够插入。由此，能够与功率半导体封装的发热量对应地提高冷却性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及双面冷却型功率半导体封装。

技术介绍

1、众所周知，半导体元件是由半导体制成的电子电路元件。

2、在这样的半导体元件中，在功率装置的功率控制中利用了作为包括igbt和二极管而实现为封装的电力模块、功率模块或功率半导体封装(以下，表示为“功率半导体封装”)。

3、通常，所述功率半导体封装广泛使用于诸如逆变器、无断电供电装置、焊机、电梯等工业应用领域和汽车领域。

4、但是，这样的现有的功率半导体封装存在以下问题：在功率转换过程中产生较多的热损失，这样的热损失的产生不仅导致功率半导体封装的温度升高，而且，在所述功率半导体封装的温度升高而超过所述功率半导体封装的动作温度限制的情况下，可能会使所述功率半导体封装的功能受损。

5、考虑到这样的问题，公开了一种功率半导体封装的冷却装置，该功率半导体封装的冷却装置的冷却通道形成为与功率半导体封装的两面接触，以能够对所述功率半导体封装进行冷却。

6、然而，在这样的现有的功率半导体封装的冷却装置中，所述冷却通道长长地形成为依次经过所述功率半导体封装的顶面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双面冷却型功率半导体封装，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

3.根据权利要求2所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

4.根据权利要求3所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

5.根据权利要求2所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

6.根据权利要求5所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

7.根据权利要求6所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

8.根据权利要求5所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

9.根据权利要求8所述的双面冷却型功率半导体...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种双面冷却型功率半导体封装，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

3.根据权利要求2所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

4.根据权利要求3所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

5.根据权利要求2所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

6.根据权利要求5所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

7.根据权利要求6所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

8.根据权利要求5所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

9.根据权利要求8所述的双面冷却型功率半导体封装，其中，

10.根据权利要求7所述的双面冷却型功率半导体封...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜勉圭，白铉祐，金容埴，金钟勋，
申请(专利权)人：LG麦格纳电子动力总成有限公司，
类型：发明
国别省市：