本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成第一介质层；于第一介质层内形成间隔分布的第一通孔；于第一通孔内形成牺牲层；于第一介质层的表面形成第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层上表面和裸露的牺牲层；于第二介质层内形成第二通孔，第二通孔暴露出牺牲层；去除牺牲层，以形成刻蚀通孔。本申请通过两步通孔形成刻蚀通孔，其意想不到的效果是防止了现有技术中由于高深宽比和刻蚀的微负载效应而出现的通孔底部没打开或者通孔内导线的电阻偏大的问题，确保通孔底部被完全打开，降低通孔内导线的电阻，避免形成寄生电容，以提高器件的性能。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、在现有通孔制作技术当中，由于高深宽比和刻蚀的微负载效应，形成的通孔底部的关键尺寸小于通孔顶部的关键尺寸，导致偶尔会出现通孔底部没打开的情况，使得通孔内导线的电阻（rc）偏大。
2、为了避免通孔底部没有打开情况的发生，以降低通孔内导线的电阻，需要将通孔底部的尺寸（譬如宽度）设置为符合规格要求。而为了确保通孔底部的尺寸符合规格要求，需要将通孔顶部的尺寸增大；又随着半导体关键尺寸越来越小，所要求单位面积内形成的器件越来越多，这就使得相邻通孔顶部之间的距离小于相邻通孔底部之间的距离，从而容易形成寄生电容，进而影响器件的性能。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种半导体结构及其制备方法，通过两步通孔形成刻蚀通孔，防止了现有技术中由于高深宽比和刻蚀的微负载效应而出现的通孔底部没打开或者通孔内导线的电阻偏大的问题，具有可以确保通孔底部被完全打开，降低通孔内导线的电阻，避免形成寄生电容，确保器件的性能等优点。
>2、为实现本申请的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在相同刻蚀气体的情况下，所述牺牲层与所述第一介质层的刻蚀选择比大于1：1。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质层与所述第一介质层的刻蚀选择比大于或等于1。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质层与所述第一介质层的刻蚀选择比为1:1~5:1。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一通孔内形成牺牲层之后，于所述第一介质层的表面形成第二介质层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在相同刻蚀气体的情况下，所述牺牲层与所述第一介质层的刻蚀选择比大于1：1。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质层与所述第一介质层的刻蚀选择比大于或等于1。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质层与所述第一介质层的刻蚀选择比为1:1~5:1。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一通孔内形成牺牲层之后，于所述第一介质层的表面形成第二介质层之前，还包括：
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱小锋，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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