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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成第一介质层；于第一介质层内形成间隔分布的第一通孔；于第一通孔内形成牺牲层；于第一介质层的表面形成第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层上表面和裸露的...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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