【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微机电系统(mems)，尤其是涉及一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器。
技术介绍
1、自上世纪80年代初期以来，微机电系统(mems)谐振式压力传感器逐渐成为压力测量领域的关键技术之一。在mems技术的支持下，压力传感器实现了微小化、高精度化和低成本化。然而，随着应用领域的不断拓展，极端环境下的压力传感器应用受到越来越多的关注，特别是在高端装备、军事武器、航空航天、深海探测等领域。在这些极端环境中，实现高静压下的微差压检测成为mems压力传感器面临的重要技术挑战。
2、mems压力传感器可根据测试压力的参考基准分为差压、绝压和表压类型，其核心敏感机制包括压阻式、压电式和谐振式三种。谐振式压力传感器因其高精度、高灵敏度和稳定性的优势，在压力测量领域广受青睐，综合精度可优于0.01％fs。然而，对于差压传感器而言，如何在高静压背景下实现微小差压检测仍然是一项技术难题，提升差压传感器的灵敏度成为提升整体性能的关键。
3、在此背景下，国内外许多公司和研究团队开始研发相关产品。国外企业如druck、...
【技术保护点】
1.一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于自下至上依次设置上感压层、平衡硅岛层、谐振层、下感压层及玻璃层；
2.如权利要求1所述一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于所述上感压层的上压力膜采用高弹性硅材料制成，以提高传感器对压力变化的响应速度和灵敏度。
3.如权利要求1所述一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于所述上感压层采用单晶硅材料，厚度为500μm；上感压膜的厚度为2μm。
4.如权利要求1所述一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于所述平衡硅岛层的上主岛和...
【技术特征摘要】
1.一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于自下至上依次设置上感压层、平衡硅岛层、谐振层、下感压层及玻璃层；
2.如权利要求1所述一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于所述上感压层的上压力膜采用高弹性硅材料制成，以提高传感器对压力变化的响应速度和灵敏度。
3.如权利要求1所述一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于所述上感压层采用单晶硅材料，厚度为500μm；上感压膜的厚度为2μm。
4.如权利要求1所述一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于所述平衡硅岛层的上主岛和下主岛形成稳定的力学结构，以减少静压误差。
5.如权利要求1所述一种面向高静压环境的低静压误差谐振差压传感器，其特征在于所述谐振层的平衡质量块采用高刚性硅材料制成，以提高谐振层的谐振稳定性。...
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