【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工,尤其涉及一种边缘研磨设备及边缘研磨方法。
技术介绍
1、单晶硅片作为一种很好的导电材料,可以广泛地应用在半导体、太阳能电池等
单晶硅片的加工工艺后期一般需要进行边缘研磨,边缘研磨可以包括外周研磨和notch研磨。外周研磨是指对硅片的边缘进行加工,以去除可能存在的缺陷和不规则形状。notch研磨是指在硅片的特定位置(通常是边缘)加工出一个缺口(notch)。
2、相关技术中,对于边缘研磨设备而言,晶圆边缘规格变更时,需要停机更换对应规格的砂轮,更换砂轮费时费力,停机会影响设备的稼动率。并且,频繁的更换砂轮对设备的硬件结构,例如装配法兰、轴头等都是一种磨损,长期操作,容易导致设备机械精度变差。此外,传统的边缘研磨设备中,外周研磨、notch研磨均在同一个工作台(table)上完成,需要先完成一步加工操作,再进行下一步加工操作,加工间隔时间较长。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中上述至少一种技术问题,本公开实施例提供了一种边缘研磨设备及边缘研磨方
2本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种边缘研磨设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的边缘研磨设备,其特征在于,还包括控制单元,所述控制单元用于根据所述第一工作台上所装载的硅片的规格参数,控制所述第一搬运单元择一地将所述硅片搬运至对应的所述第二工作台上。
3.根据权利要求1所述的边缘研磨设备,其特征在于,所述边缘研磨设备包括沿流水线方向依次布置的装料区、第一加工区、第二加工区和卸料区,所述装料单元位于所述装料区,所述第一研磨单元位于所述第一加工区,所述第二研磨单元位于所述第二加工区,所述卸料单元位于所述卸料区,且所述第一加工区包括并列布置在所述装料区与所述第二加工
...【技术特征摘要】
1.一种边缘研磨设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的边缘研磨设备,其特征在于,还包括控制单元,所述控制单元用于根据所述第一工作台上所装载的硅片的规格参数,控制所述第一搬运单元择一地将所述硅片搬运至对应的所述第二工作台上。
3.根据权利要求1所述的边缘研磨设备,其特征在于,所述边缘研磨设备包括沿流水线方向依次布置的装料区、第一加工区、第二加工区和卸料区,所述装料单元位于所述装料区,所述第一研磨单元位于所述第一加工区,所述第二研磨单元位于所述第二加工区,所述卸料单元位于所述卸料区,且所述第一加工区包括并列布置在所述装料区与所述第二加工区之间的至少两个子加工区,每个所述子加工区设置一个所述外周粗磨机构。
4.根据权利要求1所述的边缘研磨设备,其特征在于,所述第一工作台、和至少两个所述第二工作台被配置为间隔地分布在同一虚拟圆形上,所述第三工作台布置在所述虚拟圆形的外周侧、且位于相邻两个所述第二工作台之间。
5.根据权利要求1所述的边缘研磨设备,其特征在于,包括承载架组件,所述承载架组件包括主支架和连接在所述主...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉乾,王振,刘倩,
申请(专利权)人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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