一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂及清洗方法技术

本发明专利技术属于半导体蚀刻技术领域，涉及一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂，具体包括酸液、清洗液和碱液三种试剂体系。利用本发明专利技术的碱刻试剂可先进行酸性初步清洗抛光处理，再清洗液预清洗，最后碱性清洗抛光，避免了碱性直接腐蚀清洗所导致深度差异较大，使产品表面的粗糙度差异大的不良影响。本发明专利技术的单晶硅环碱刻试剂可使最终产品表面达到抛光效果，同时减少蚀刻带来的硅环表面粗糙度，同时保留气体通道形态不被破坏，最终保证硅产品在进一步的半导体晶圆干刻工艺中发挥优良的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂及及清洗方法、应用。

技术介绍

1、半导体晶圆干刻工艺中有一种单晶硅环，其表面有凹凸细小的气体通道平行均匀分布。通过抛光及清洗工艺除了可以去除表面污染物外，达到抛光效果，同时保留气体通道形态不被破坏。

2、现有抛光技术主要是酸性抛光，除了可以去除表面污染物外，也能达到抛光效果，但酸性抛光液同时也会导致表面凹凸细小的气体通道被抛光腐蚀，其清洗后的表面凹凸气体通道明显被破坏。如果只做碱性腐蚀清洗，凹的地方反应速度快，就会导致深度差异更大，使产品表面的粗糙度增大，进一步粗糙度增大后，在晶圆干刻使用时气体流量大，使腔体中的温度改变，等离子体活跃度改变，最终影响晶圆的干刻效果。亟需改善硅产品蚀刻的制剂及其蚀刻方法。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种降低单晶硅环表面粗糙度的碱刻试剂，还提供一种该试剂在硅产品上的蚀刻应用。

2、为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：

3、本专利技术的目的之一在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂，其特征在于，所述碱刻试剂包括酸液、清洗液和碱液；

2.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述非离子氟碳表面活性剂选自Capstone FS-30、FC-4430、FCF-206中的一种。

3.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述氟硅表面活性剂选自BNK-4046、BNK-4036、FS-3100中的一种。

4.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述碳酸化合物选自碳酸钾、碳酸钠、碳酸钙、碳酸镁、碳酸氢钠、碳酸氢钙中的一种。

5.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述促进...

【技术特征摘要】

1.一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂，其特征在于，所述碱刻试剂包括酸液、清洗液和碱液；

2.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述非离子氟碳表面活性剂选自capstone fs-30、fc-4430、fcf-206中的一种。

3.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述氟硅表面活性剂选自bnk-4046、bnk-4036、fs-3100中的一种。

4.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述碳酸化合物选自碳酸钾、碳酸钠、碳酸钙、碳酸镁、碳酸氢钠、碳酸氢钙中的一种。

5.根据权利要求1所述的碱刻试剂，其特征在于，所述促进剂选自过硫酸铵、亚硝酸钠、普鲁兰多糖等中的一种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的碱刻试剂，其特征在于，所述酸液按质量百分比计，由4-6％氟化铵、25-30％硫酸、1-3％硝酸、0.01-0.02％非离子氟碳表面活性剂和0.1-0.3％己酸二乙氨基乙醇酯组成，余量为水；所述清洗液按质量百分比计，由3-7％碳酸化合物、0.1-0.4％复硝酚钠、0.01-0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕清，陈立航，蒋晓钧，
申请(专利权)人：重庆臻宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：