【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料，具体地涉及一种碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法。
技术介绍
1、碘化锑是半导体及热电材料的重要掺杂剂，并且可用作化工领域催化剂的制备原料，以及用于制药领域，用途广泛。目前，碘化锑的制备方法主要是采用湿法合成或干法合成两种方法。
2、碘化锑的湿法合成是采用苯作为溶剂，通过加热回流的方式使锑粉与碘反应，在反应过程中，分批加入碘以控制反应速率，避免剧烈反应导致的危险，当大部分碘加入后，会析出红色的碘化锑晶体，反应完全后，通过冷却和结晶，可以得到六方片状碘化锑晶体。湿法合成工艺过程复杂，产率低，使用苯溶剂存在环境污染，需要严格控制碘的加入速度，且产品中易含有结晶水，影响产品的应用。
3、碘化锑的干法合成因其无需溶剂，对环境友好，收率好而备受关注，干法合成是一般是化学气相沉积及封管加热法。cn106335923b公开了“一种碘化锑的制备方法”，方法是：将纯度大于99.9％的碘置于一端封口的洁净玻璃管中，再将纯度大于99.99％的锑块覆盖在碘上，总装料量不超过玻璃管容量的15％，抽真空至小于15pa封...
【技术保护点】
1.一种碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：
2.根据权利要求1所述碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：制备碘化锑晶体时，石英管的中上部位于温区2位置。
3.根据权利要求1所述碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：工业级单质锑的纯度≥70％。
4.根据权利要求1所述碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：步骤S1中，所述单质锑和单质碘为摩尔比为1:1.5。
5.根据权利要求1所述碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：所述单质碘为纯度≥95％，所述溶剂的纯度≥98％。
6.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：
2.根据权利要求1所述碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：制备碘化锑晶体时，石英管的中上部位于温区2位置。
3.根据权利要求1所述碘化锑晶体及薄膜材料的制备方法，其特征是：工业级单质锑的纯度≥70％。
4.根据权利要求1所述碘化锑晶体及薄膜材...
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