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本发明属于半导体蚀刻技术领域，涉及一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂，具体包括酸液、清洗液和碱液三种试剂体系。利用本发明的碱刻试剂可先进行酸性初步清洗抛光处理，再清洗液预清洗，最后碱性清洗抛光，避免了碱性直接腐蚀清洗所导致深度差异较大，使产...
该专利属于重庆臻宝科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆臻宝科技股份有限公司授权不得商用。

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