本发明公开一种高固含量氧化铝陶瓷造粒粉及其制备方法，高固含量氧化铝陶瓷造粒粉的制备方法包括如下步骤：首先对氧化铝干粉进行含水率测试；按配比以及氧化铝干粉的含水率称取所需要的原料备用；按质量百分比记，氧化铝干粉的固含量为65‑80％，余量...

本发明涉及一种碱性蚀刻制绒溶液的添加剂及包含该添加剂的蚀刻制绒溶液，添加剂包括普鲁兰多糖、复硝酚钠、木质素磺酸钠和葡萄糖酸钾等组分。包含该添加剂的蚀刻制绒溶液可以将单晶硅气体分流盘的微表面蚀刻出类似于金字塔形状的微结构，增大了气体分流盘...

本发明公开一种高致密化氧化铝陶瓷及其制备方法与应用，本发明提供的一种高致密化氧化铝陶瓷的制备方法，包括步骤如下：(1)根据配比称取氧化铝干粉、纯水、消泡剂、润滑剂、粘结剂、分散剂和氧化镁；(2)将氧化镁以及称取好的其余组分添加至球磨罐中...

本发明公开一种氧化铝陶瓷及其制备方法与应用，本发明提供的一种氧化铝陶瓷的制备方法，包括步骤如下：(1)基于氧化铝原粉的含水率按配比准备原料；(2)通过第一次球磨和第二次球磨进行浆料配置得到混合浆料；(3)将PH值调整后的混合浆料进行造粒...

本发明属于大直径硅片分割设备技术领域，提供了一种用于大直径硅片分割的夹具，包括：基座，其平行于XOZ平面的截面呈梯形并与截断机上的V形槽相适应，其顶部沿X轴方向设置有贯穿的第一避位槽；以及压紧组件，其设置在基座上，其用于将硅片固定在基座...

本发明公开了一种用于硅单晶生长的水冷套，属于硅单晶生产设备技术领域，通过设置两层水冷层，给硅单晶生长提供高效率的导热环境，内水冷层通过设置若干水冷板作围绕所述外水冷层的轴线远离和靠近运动，保持硅单晶圆柱体的表面和水冷板保持较近的距离，随...

本发明公开了一种硅环斜面加工工装，属于半导体零部件加工工装技术领域。包括空心安装壳体，所述空心安装壳体的一端设有封闭端面，所述封闭端面上设有十字形分布的通槽，所述通槽位于封闭端面内侧面上的均设有滑道，所述滑道的一端与封闭端面固定连接，所...

本发明公开了一种耐高温的耐等离子刻蚀薄膜的制备方法，属于涂层技术领域。包括以下步骤：S1、将Y2O3、Si研磨成粉并混合得混合粉末，将混合粉末加至水中搅拌；S2、向水中加入分散剂、粘合剂，然后喷雾造粒，得造粒粉末；S3、将造粒粉末使用熔...

本发明公开了一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率的装置，属于半导体硬脆材料超精密加工设备技术领域，包括：盛有电解液的电解液槽，以及电化学工作站，电解液槽底壁上转动安装有两个第一铜抛光头，电解液槽内设置有升温机构，第一铜抛光头顶壁通过...

本发明公开了一种用于单晶硅的碱性蚀刻方法，属于硅片蚀刻技术领域，包括以下步骤：S1、硅片表面预处理；S2、将预处理后的硅片置入混合液中浸泡，加入添加剂减缓氧化；S3、再将硅片置入20％KOH溶液中浸泡，多次加入10％的异丙醇反应，直至硅...

本发明公开了一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法，属于硅橡胶技术领域所述原料包括硅橡胶、基粉，硅橡胶、基粉的质量比为98：2，所述基粉包括氧化钇、金属粉，将混料炼制、冷却后得胶料，将胶料加热硫化得出成品。本发明在硅橡胶中混入基粉后，可以增...

本发明公开了一种降低氧化铝陶瓷板材孔隙率的成型装置，属于陶瓷成型技术领域，包括：工作台与注浆机构，所述工作台上安装有模具，所述注浆机构能将浆料通过注浆管注入至模具中，所述注浆管上可拆卸安装有管口，所述管口上设有出料口，所述管口以管口轴线...