【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体器件及工艺，特别是关于一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、在现有的半导体器件结构中，带p型多晶硅的dti深入至p型衬底，以将p型衬底电连接至器件表面，带n型多晶硅的mti深入至n型埋层，以将n型埋层电连接至器件表面。然而，当mti内的n型多晶硅浓度较大时，mti内的n型多晶硅会出现横向扩散的问题。为了保证耐压以及不影响到内部芯片，mti距离内部芯片具有不同电压的n型well或p型well之间的隔离距离会设计的较大，这就造成整体器件的面积较大，不利于成本，导致竞争力不足。
2、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，其能够有效解决现有技术的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体主体，所述半导体主体包括具...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三沟槽隔离结构填充满所述第三沟槽。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体主体中形成第一沟槽，包括：
4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成硬掩膜层包括：
5.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成硬掩膜层包括：
6.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽中形成第一沟槽结构包括：
7.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三沟槽隔离结构填充满所述第三沟槽。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体主体中形成第一沟槽，包括：
4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成硬掩膜层包括：
5.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成硬掩膜层包括：
6.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽中形成第一沟槽结构包括：
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一导电材料选自多晶硅。
8.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡层包括第二氧化物层；或，
9.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽的侧壁以及底壁上生长阻挡层的步骤之前，还包括：
10.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体主体中形成第二沟槽和至少一个第三沟槽，包括：
11.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第三沟槽内形成第三沟槽隔离结构，包括：
12.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第二沟槽中形成第二沟槽结构，包括：
13.如权利要求12...
【专利技术属性】
技术研发人员：马小波，李明，
申请(专利权)人：屹世半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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