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本发明公开了半导体器件及其制作方法，在不增加成本及工艺复杂度的前提下，在制作DTI(第二沟槽)的同时，在MTI(第一沟槽)与内部器件区域之间增加一个或多个宽度较窄的第三沟槽并填充第三沟槽隔离结构，该宽度较窄的第三沟槽深度较浅，不会影响原有埋...
该专利属于屹世半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过屹世半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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