真空镀膜方法及真空镀膜设备技术

本发明专利技术涉及真空镀膜技术领域，具体公开了真空镀膜方法及真空镀膜设备。该方法包括以下步骤：向镀膜室内的蒸发源主体添加物料；将基板治具定位于镀膜室内；将位于预熔位的蒸发源主体内的物料加热至预熔温度，将位于蒸发位的蒸发源主体内的物料加热至蒸发温度；监测位于蒸发位的蒸发源主体内的物料容量；判断位于蒸发位的蒸发源主体内的物料是否少于预设值，若是，则将一个位于预熔位的蒸发源主体切换至蒸发位，然后重新加热，若否，则判断基板治具上的基板是否镀膜完成，若完成，则停止加热所有的蒸发源主体，将基板治具从镀膜室搬出，若未完成则返回加热步骤。该方法为蒸发源主体的运行增加了物料预熔的步骤，提高了镀膜效率，保证了成膜效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空镀膜，尤其涉及真空镀膜方法及真空镀膜设备。

技术介绍

1、在真空蒸发镀膜过程中，镀膜材料往往需要加热到一定温度后才可以开始真空镀膜，即镀膜材料在真空镀膜前的预加热与真空镀膜过程是先后进行的。然而，对于某些镀膜材料，其在真空镀膜前需要较长时间的预加热，从而导致整个镀膜过程耗时较长，影响了镀膜效率；如预加热不充分，则易导致成膜品质劣化，影响成膜效果。

2、综上所述，亟需一种真空镀膜方法。该方法需要尽量减少待蒸发物料等待蒸发的时间，协调蒸发源加料期间与蒸发期间的状态关系，以满足真空镀膜设备对成膜效果和镀膜效率的需求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供真空镀膜方法及真空镀膜设备，通过对待蒸发的蒸发源主体增加预熔步骤的方式，以提升蒸发源主体的蒸发效果，提高成膜效果和镀膜效率。

2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：

3、真空镀膜方法，用于对基板治具上的基板进行镀膜，包括以下步骤：

4、s10：向镀膜室内的蒸发源主体添加物料；

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【技术保护点】

1.真空镀膜方法，用于对基板治具(900)上的基板进行镀膜，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，S30之前还包括以下步骤：

3.根据权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述镀膜室(210)选择性连通有加料室(220)，所述加料室(220)内安装有用于向所述蒸发源主体(720)供料的供料装置(300)，S10包括以下详细步骤：

4.根据权利要求3所述的真空镀膜方法，其特征在于，所有的所述预熔位之中的一个被定义为加料位，所述供料装置(300)能对位于所述加料位的所述蒸发源主体(720)添加所述物料。

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【技术特征摘要】

1.真空镀膜方法，用于对基板治具(900)上的基板进行镀膜，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，s30之前还包括以下步骤：

3.根据权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述镀膜室(210)选择性连通有加料室(220)，所述加料室(220)内安装有用于向所述蒸发源主体(720)供料的供料装置(300)，s10包括以下详细步骤：

4.根据权利要求3所述的真空镀膜方法，其特征在于，所有的所述预熔位之中的一个被定义为加料位，所述供料装置(300)能对位于所述加料位的所述蒸发源主体(720)添加所述物料。

5.根据权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述镀膜室(210)选择性连通有搬运室(630)，所述搬运室(630)内设有机械爪模块，所述机械爪模块用于将所述搬运室(630)内的所述基板治具(900)搬运至所述镀膜室(210)内，s20包括以下详细步骤：

6.根据权利要求5所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述搬运室(630)选择性连通有进片室(610)，所述进片室(610)与外部环境选择性连通，所述搬运室(630)内设有基板治具输送装置(800)，所述基板治具输送装置(800)能将所述基板治具(900)从所述进片室(610)...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永长，朱振华，龙汝磊，吴萍，
申请(专利权)人：光驰科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：