【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及人工突触器件，尤其是涉及一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件。
技术介绍
1、为降低计算能耗，促进人工智能技术发展，基于新材料、新物理机制的人工智能芯片正逐渐在人工智能
大量使用。然而，目前的主流人工智能芯片主要采用冯·诺依曼架构，这种架构数据的存储路径与处理路径分离，使得这类人工智能芯片面临能效低、结构复杂等问题。
2、考虑到模拟人脑工作原理的神经形态芯片具有高并行性、高容错性、存算融合和低功耗等特性，且突触是信息传递与处理的核心，因此，开发新型人工突触器件对发展人工智能芯片具有重要意义。本专利技术提出利用一种基于二维材料异质结的人工神经突触器件，即利用二维材料异质结的第三型能带结构调控载流子输运特性，进一步提升器件突触可塑性的线性度。以此来实现低能耗神经形态计算。
3、除此之外，因为采用的二维材料具有原子级厚度，表面平整且没有悬挂键。因此，本专利技术有利于实现高度集成的小尺寸、低能耗人工智能芯片。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是...
【技术保护点】
1.一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件，其特征在于：包括黑磷二维薄膜、硫化锡二维薄膜、热氧化硅基片、电极，所述热氧化硅基片包括上下堆叠的二氧化硅层和硅材料层，所述黑磷二维薄膜下表面与热氧化硅基片的二氧化硅层接触，所述硫化锡二维薄膜一部分堆叠在黑磷二维薄膜之上，硫化锡二维薄膜剩余部分与热氧化硅基片表面的二氧化硅层接触，形成黑磷/硫化锡异质结，所述电极分为源电极、漏电极和栅极。
2.根据权利要求1所述的一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件，其特征在于：所述栅极连接在热氧化硅基片背部的硅材料层上，所述源电极接地。
3.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件，其特征在于：包括黑磷二维薄膜、硫化锡二维薄膜、热氧化硅基片、电极，所述热氧化硅基片包括上下堆叠的二氧化硅层和硅材料层，所述黑磷二维薄膜下表面与热氧化硅基片的二氧化硅层接触，所述硫化锡二维薄膜一部分堆叠在黑磷二维薄膜之上，硫化锡二维薄膜剩余部分与热氧化硅基片表面的二氧化硅层接触，形成黑磷/硫化锡异质结，所述电极分为源电极、漏电极和栅极。
2.根据权利要求1所述的一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件，其特征在于：所述栅极连接在热氧化硅基片背部的硅材料层上，所述源电极接地。
3.根据权利要求1所述的一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件，其特征在于：所述漏电极、源电极分...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕文星，田红梅，吴晓晶，曹喻霖，杨玮民，邵志斌，王晓波，
申请(专利权)人：深圳职业技术大学，
类型：发明
国别省市：
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