晶圆中转缓存装置及CMP设备制造方法及图纸

本申请涉及一种晶圆中转缓存装置及CMP设备，该晶圆中转缓存装置包括外腔、浸泡腔、承载机构及喷淋机构，浸泡腔设于外腔内。承载机构包括位于外腔内的承载部，承载部能够在位于浸泡腔外的中转工位和位于浸泡腔内的缓存工位之间切换。喷淋机构能够朝向位于中转工位的承载部喷淋液体。本申请的晶圆中转缓存装置兼具短时间中转存储晶圆功能、以及长时间缓存存储晶圆功能，一物多用，利用效率高，且可降低CMP设备的占地面积，提高单位面积内的晶圆产出效率，而且可节省晶圆在中转状态和缓存状态之间的运输时间，提高CMP设备的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体设备，特别是涉及晶圆中转缓存装置及cmp设备。

技术介绍

1、在cmp(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)工艺中，经过抛光处理的晶圆表面附着有抛光液，需要及时对其清洁。通常在cmp设备的清洗装置和抛光装置之间设置中转装置来短暂存放晶圆。若待清洗的晶圆数量较多，为了避免晶圆长时间等待时晶圆上抛光液干燥形成污渍，通常还会将多余的晶圆浸没在cmp设备的缓存装置内，用溶液浸泡晶圆。

2、目前cmp设备中，晶圆的中转和缓存通过不同的装置来实现，当cmp设备停止时，需要将中转装置处的晶圆搬运至缓存装置进行较长时间存储。重新启动cmp设备时，又需要重新将缓存装置处的晶圆搬运至中转装置，晶圆在中转装置和缓存装置之间来回流动，占用较多时间，不利于cmp设备的生产效率。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对cmp设备的生产效率不高的问题，提供一种晶圆中转缓存装置及cmp设备。

2、第一方面，本申请实施例提供一种晶圆中转缓存装置，包括：

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【技术保护点】

1.一种晶圆中转缓存装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆中转缓存装置，其特征在于，所述承载机构(30)包括翻转组件(32)和/或升降组件(33)，所述翻转组件(32)连接所述承载部(31)，能够驱动所述承载部(31)翻转；所述升降组件(33)连接所述承载部(31)，能够驱动所述承载部(31)升降；

3.根据权利要求2所述的晶圆中转缓存装置，其特征在于，所述承载部(31)经所述翻转组件(32)安装于所述升降组件(33)的驱动端。

4.根据权利要求2所述的晶圆中转缓存装置，其特征在于，所述翻转组件(32)包括翻转电机(32a)和翻转臂(3...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆中转缓存装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆中转缓存装置，其特征在于，所述承载机构(30)包括翻转组件(32)和/或升降组件(33)，所述翻转组件(32)连接所述承载部(31)，能够驱动所述承载部(31)翻转；所述升降组件(33)连接所述承载部(31)，能够驱动所述承载部(31)升降；

3.根据权利要求2所述的晶圆中转缓存装置，其特征在于，所述承载部(31)经所述翻转组件(32)安装于所述升降组件(33)的驱动端。

4.根据权利要求2所述的晶圆中转缓存装置，其特征在于，所述翻转组件(32)包括翻转电机(32a)和翻转臂(32b)，所述翻转臂(32b)连接所述翻转电机(32a)的驱动端与所述承载部(31)；所述承载部(31)位于所述翻转电机(32a)的旋转轴线的一侧。

5.根据权利要求4所述的晶圆中转缓存装置，其特征在于，所述翻转臂(32b)包括相交连接的第一臂段(b1)和第二臂段(b2)，所述第一臂段(b1)连接所述翻转电机(32a)的驱动端，所述第二臂段(b2)背离所述翻转电机(32a)的一端连接所述承载部(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊逸，张鹏飞，
申请(专利权)人：吉姆西半导体科技无锡股份有限公司，
类型：新型
国别省市：