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本申请涉及一种晶圆中转缓存装置及CMP设备，该晶圆中转缓存装置包括外腔、浸泡腔、承载机构及喷淋机构，浸泡腔设于外腔内。承载机构包括位于外腔内的承载部，承载部能够在位于浸泡腔外的中转工位和位于浸泡腔内的缓存工位之间切换。喷淋机构能够朝向位于中...
该专利属于吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司授权不得商用。

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