一种半导体结构及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，该结构包括：衬底，衬底包括导电结构；堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的蚀刻停止层、第一介电材料层、第一应力缓冲层、第一掩膜层，蚀刻停止层覆盖衬底的一侧表面；膜层通孔，膜层通孔贯穿堆叠结构，且暴露出导电结构；保护层，保护层位于第一掩膜层的第一表面，以及位于被膜层通孔暴露出的第一掩膜层的第二表面。本申请通过在第一掩膜层的第一表面和第二表面分别形成保护层，并使保护层的抗氧化性、耐磨性以及耐腐蚀性优于第一掩膜层，从而在刻蚀工艺中，可以对第一掩膜层进行保护，避免第一掩膜层与刻蚀气体发生反应，降低残留物生成。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，为满足精度和复杂性更高的集成电路(integratedcircuit，ic)制造，后端线路(back-end-of-the line，beol)金属互连层的凹槽以及通孔的刻蚀对工艺结构和要求也越来越高，特别是40nm及以下制程节点。目前，在凹槽以及通孔的刻蚀工艺中，普遍使用硬质掩膜。由于硬质掩膜的引进，在刻蚀工艺过程中和过程后都会产生不易挥发的残留物，造成器件的稳定性和良率不佳。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种半导体结构，包括：

2、衬底，所述衬底包括导电结构；

3、堆叠结构，所述堆叠结构包括依次堆叠的蚀刻停止层、第一介电材料层、第一应力缓冲层、第一掩膜层，所述蚀刻停止层覆盖所述衬底的一侧表面；

4、膜层通孔，所述膜层通孔贯穿所述堆叠结构，且暴露出所述导电结构；

5、保护层，所述保护层位于背离所述衬底一侧的所述第一掩膜层的第一表面，以及位于被所述膜层通孔暴露出的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掩膜层包括金属氮化物层，所述保护层包括金属碳氮化物层、金属碳化物层中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度在10埃至100埃之间。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述膜层通孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分贯穿所述第一介电材料层和所述刻蚀阻挡层，所述第二部分贯穿所述第一掩膜层和所述第一应力缓冲层，所述第一部分的开口尺寸小于所述第二部分的开口尺寸。

5.根据权利要求1-3任意...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掩膜层包括金属氮化物层，所述保护层包括金属碳氮化物层、金属碳化物层中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度在10埃至100埃之间。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述膜层通孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分贯穿所述第一介电材料层和所述刻蚀阻挡层，所述第二部分贯穿所述第一掩膜层和所述第一应力缓冲层，所述第一部分的开口尺寸小于所述第二部分的开口尺寸。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘猛，
申请(专利权)人：武汉楚兴技术有限公司，
类型：发明
国别省市：