【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构。
技术介绍
1、在半导体应用中，钨栓(w plug)可以实现相邻金属层之间的连接，相邻金属层之间一般具有介质层比如二氧化硅层，可以在介质层中进行打孔制作钨栓。具体的，可以在通孔中依次沉积形成钛(ti)薄膜、氮化钛(tin)薄膜和金属钨(w)，金属钨将通孔完全填充，氮化钛薄膜主要作为金属阻挡层，不仅能够阻挡化学气相沉积金属钨薄膜(chemical vapordeposition w，cvd w)工艺过程中，反应原料六氟化钨(wf6)对黏附层钛薄膜的腐蚀，也可以阻挡金属钨向相邻的介质层扩散，但是氮化钛薄膜的本征电阻率相对钛薄膜和钨薄膜较高，氮化钛薄膜的电阻率约为220×10-8，钨薄膜的电阻率约为5.3×10-8，钛薄膜的电阻率约为42×10-8，影响了钨栓的整体导电性能。尤其是随着制程的不断微缩，钨栓孔洞结构越来越小，氮化钛薄膜本征电阻率的影响也越来越大，制约了钨栓整体导电性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目...
【技术保护点】
1.一种氮化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属盐为钒盐、锑盐、锗盐、铬盐、钇盐、锰盐或钴盐中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钒盐为四氯化钒或氟化钒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，金属元素掺杂的含量在所述第二氮化钛薄膜中的占比小于或等于10％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用第一气体作为载气，将汽化后的四二甲基胺钛通入所述反应腔室内，所述第一气体包括氮气或氦气中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方...
【技术特征摘要】
1.一种氮化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属盐为钒盐、锑盐、锗盐、铬盐、钇盐、锰盐或钴盐中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钒盐为四氯化钒或氟化钒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，金属元素掺杂的含量在所述第二氮化钛薄膜中的占比小于或等于10％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用第一气体作为载气，将汽化后的四二甲基胺钛通入所述反应腔室内，所述第一气体包括氮气或氦气中的至少一种。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡颖，熊高伟，刘超飞，
申请(专利权)人：武汉楚兴技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。