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本申请提供一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构，向反应腔室通入四二甲基胺钛，四二甲基胺钛吸附在衬底表面，衬底位于反应腔室内；对四二甲基胺钛进行加热，分解得到二甲胺气体和位于衬底表面的第一氮化钛薄膜；向反应腔室通入金属盐，金属盐与...
该专利属于武汉楚兴技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉楚兴技术有限公司授权不得商用。

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