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本申请实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，该结构包括：衬底，衬底包括导电结构；堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的蚀刻停止层、第一介电材料层、第一应力缓冲层、第一掩膜层，蚀刻停止层覆盖衬底的一侧表面；膜层通孔，膜层通孔贯穿堆叠结构，且暴露出...
该专利属于武汉楚兴技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉楚兴技术有限公司授权不得商用。

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