【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种半导体存储器装置及其形成方法。
技术介绍
1、近来，在例如动态随机存取存储器的半导体存储器装置中，期望增加存储器容量，但是由于更精细的处理尺寸而难以增加存储器容量。因此，已经提出了通过存储器单元中的存取晶体管的竖直结构来实现存储器单元的平面面积的减小以及存储器容量的增加的技术。
技术实现思路
1、在一个方面，本申请提供一种半导体存储器装置，其包括：存取晶体管，其配置为包括沟道部分和一对源极/漏极区的竖直晶体管；存储电容器，其连接到所述一对源极/漏极区中的一者；位线，其连接到所述一对源极/漏极区中的另一者；以及第一半导体层，其设置在所述源极/漏极区中，所述位线连接到所述第一半导体层。
2、在另一方面，本申请进一步提供一种制造半导体存储器装置的方法，所述半导体存储器装置包括一对源极/漏极区、安置在所述源极/漏极区之间且被绝缘体包围的沟道部分、包括经由栅极绝缘膜与所述沟道部分相对的栅极电极的竖直晶体管、以及连接到所述源极/漏极区中的一者的存储电容器，所述方法包括：形成在...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体层包括硅锗(SiGe)。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述晶体管进一步包括栅极电极，所述栅极电极通过栅极绝缘膜与所述沟道部分的侧表面接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二掺杂部分和所述沟道部分彼此接触。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述晶体管进一步包括位于所述第二掺杂部分的一部分与所述沟道部分的一部分之间的延伸的掺杂部分。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体层包括硅锗(sige)。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述晶体管进一步包括栅极电极，所述栅极电极通过栅极绝缘膜与所述沟道部分的侧表面接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二掺杂部分和所述沟道部分彼此接触。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述晶体管进一步包括位于所述第二掺杂部分的一部分与所述沟道部分的一部分之间的延伸的掺杂部分。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括在所述晶体管与相邻于所述晶体管的其他晶体管之间的屏蔽板。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述屏蔽板位于所述晶体管的所述沟道部分与另一晶体管的栅极电极之间。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一掺杂部分、所述第二掺杂部分和所述屏蔽板包括磷(p)。
10.一种制造半导体存储器装置的方法，所述半导体存储器装置包括晶体管，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中：
12.根据权利要求1...
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