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本申请涉及一种半导体存储器装置及其形成方法。一种半导体存储器装置，其包含：存取晶体管，其配置为包括沟道部分和一对源极/漏极区的竖直晶体管；存储电容器，其连接到所述一对源极/漏极区中的一者；位线，其连接到所述一对源极/漏极区中的另一者；第一半...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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