Nord闪存制造方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种Nord闪存制造方法。包括以下步骤：在半导体器件上涂覆底部抗反射涂层；位于外围逻辑区上的底部抗反射涂层小于位于元胞区上的底部抗反射涂层第一厚度；在底部抗反射涂层上形成带有刻蚀窗口的光刻胶层，元胞区闪存的漏极区域和外围逻辑区从刻蚀窗口位置处外露；刻蚀从刻蚀窗口位置处外露的底部抗反射涂层，外围逻辑区上的底部抗反射涂层被完全刻蚀去除，元胞区中的闪存的漏极区域上的底部抗反射涂层剩余第二厚度；刻蚀平推从蚀窗口位置处外露的半导体器件；采用多晶硅相对于氧化硅具有高刻蚀选择比的刻蚀条件对从刻蚀窗口位置处外露的半导体器件进行刻蚀，完全打开元胞区闪存的漏极区域位置处。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种nord闪存制造方法。

技术介绍

1、在nord闪存制造过程中，由于字线多晶硅平坦化后氧化层和多晶硅层高度差异导致表面不平整，以及闪存元胞区和逻辑区高度差导致刻蚀前光刻胶层涂抹的均一性较差容易导致元胞区控制栅多晶硅和外围逻辑区容易被过刻蚀损坏。

技术实现思路

1、本申请提供了一种nord闪存制造方法，可以解决相关技术中不能多晶硅容易被过刻蚀损坏的问题。

2、为了解决
技术介绍
中的技术问题，本申请提供一种nord闪存制造方法，所述nord闪存制造方法包括以下步骤：

3、在半导体器件上涂覆底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层覆盖；位于所述外围逻辑区上的底部抗反射涂层小于位于所述元胞区上的底部抗反射涂层第一厚度；

4、在所述底部抗反射涂层上形成带有刻蚀窗口的光刻胶层，所述元胞区闪存的漏极区域和所述外围逻辑区从所述刻蚀窗口位置处外露；

5、刻蚀从所述刻蚀窗口位置处外露的底部抗反射涂层，所述外围逻辑区上的底部抗反射涂层被完全刻蚀去除，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Nord闪存制造方法，其特征在于，所述Nord闪存制造方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的Nord闪存制造方法，其特征在于，所述在在半导体器件上涂覆底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层覆盖闪存的元胞区和外围逻辑区；位于所述外围逻辑区上的底部抗反射涂层小于位于所述元胞区上的底部抗反射图层第一厚度的步骤，包括：

3.如权利要求1所述的Nord闪存制造方法，其特征在于，所述刻蚀从所述刻蚀窗口位置处外露的底部抗反射涂层，所述外围逻辑区上的底部抗反射涂层被完全刻蚀去除，所述元胞区中的闪存的漏极区域上的底部抗反射涂层剩余第二厚度的步骤，包括：</p>

4.如权...

【技术特征摘要】

1.一种nord闪存制造方法，其特征在于，所述nord闪存制造方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的nord闪存制造方法，其特征在于，所述在在半导体器件上涂覆底部抗反射涂层，所述底部抗反射涂层覆盖闪存的元胞区和外围逻辑区；位于所述外围逻辑区上的底部抗反射涂层小于位于所述元胞区上的底部抗反射图层第一厚度的步骤，包括：

3.如权利要求1所述的nord闪存制造方法，其特征在于，所述刻蚀从所述刻蚀窗口位置处外露的底部抗反射涂层，所述外围逻辑区上的底部抗反射涂层被完全刻蚀去除，所述元胞区中的闪存的漏极区域上的底部抗反射涂层剩余第二厚度的步骤，包括：

4.如权利要求1所述的nord闪存制造方法，其特征在于，所述刻蚀从所述刻蚀窗口位置处外露的底部抗反射涂层，所述外围逻辑区上的底部抗反射涂层被完全刻蚀去除，所述元胞区中的闪存的漏极区域上的底部抗反射涂层剩余第二厚度的步骤，包括：

5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫亦，梁轩铭，徐杰，周洋，李先宏，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：