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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种Nord闪存制造方法。包括以下步骤：在半导体器件上涂覆底部抗反射涂层；位于外围逻辑区上的底部抗反射涂层小于位于元胞区上的底部抗反射涂层第一厚度；在底部抗反射涂层上形成带有刻蚀窗口的光刻胶层，...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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