【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种半导体存储器装置及其制造方法，并且更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置可以包括具有多个存储器单元的存储器单元阵列。为了提高半导体存储器装置的集成度，可以将存储器单元三维地布置。与二维半导体存储器装置相比，由于各种原因，包括三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置可能具有复杂的制造工艺。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板，该基板具有互补金属氧化物半导体(cmos)电路；栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构包括层间绝缘层和导电图案，所述层间绝缘层和导电图案在垂直方向上交替地堆叠在基板上；沟道结构，该沟道结构具有穿透栅极堆叠结构的第一部分和从第一部分的一端延伸的第二部分，第二部分延伸超出栅极堆叠结构；公共源极线，该公共源极线延伸以与栅极堆叠结构交叠，公共源极线围绕沟道结构的第二部分；存储器层，该存储器层设置在沟道结构的第一部分和栅极堆叠结构之间；以及位线，该位线连接到沟道结...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构包括芯绝缘层和沟道层，所述芯绝缘层设置在所述沟道结构的中央区域中，并且所述沟道层形成所述沟道结构的所述第一部分和所述第二部分的最外侧部分。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述芯绝缘层包括设置在位于所述公共源极线的所述第一表面的高度和所述第二表面的高度之间的高度处的端部。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层具有中空结构。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构包括芯绝缘层和沟道层，所述芯绝缘层设置在所述沟道结构的中央区域中，并且所述沟道层形成所述沟道结构的所述第一部分和所述第二部分的最外侧部分。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述芯绝缘层包括设置在位于所述公共源极线的所述第一表面的高度和所述第二表面的高度之间的高度处的端部。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层具有中空结构。
5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构还包括设置在所述芯绝缘层和所述位线之间的掺杂半导体层，并且
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层的与所述公共源极线相邻的部分包括导电类型掺杂剂。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构在所述栅极堆叠结构的与所述公共源极线相邻的部分处的直径小于所述沟道结构在所述栅极堆叠结构的其余部分处的直径。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构的所述第二部分具有凸形形状，该凸形形状从所述沟道结构的所述第一部分延伸并且延伸到所述公共源极线的凹形部分中。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线包括金属。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线包括：
11.根据权利要求1所述的半导体存储器装...
【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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