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本公开涉及半导体存储器装置及其制造方法。提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板，该基板具有互补金属氧化物半导体CMOS电路；栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构包括在垂直方向上交替地堆叠在基板上的层间绝缘层和导电图案；沟道结构，该...
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