一种半导体结构及其形成方法、存储器系统技术方案

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、存储器系统，该形成方法包括：提供衬底，并在衬底上依次形成掺杂半导体层和堆叠结构；形成多个贯穿堆叠结构和掺杂半导体层，并延伸至衬底内的沟道孔；通过氧化工艺氧化沟道孔暴露的掺杂半导体层，以形成向沟道孔的内部突出的第一氧化结构；在沟道孔中形成沟道结构；沟道结构包括被衬底包围的第一部分、被第一氧化结构包围的第二部分和被堆叠结构包围的第三部分；第一部分的径向尺寸大于第二部分的径向尺寸；去除衬底、掺杂半导体层和第一氧化结构，暴露第一部分和第二部分；沿位于第二部分中的预设截断处截断沟道结构。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器系统。

技术介绍

1、为了满足对于存储器集成度的需求，已经提出了包括堆叠结构和贯穿堆叠结构的沟道结构的三维半导体结构。在三维半导体结构的形成过程中，需要先形成贯穿堆叠结构的沟道孔(channel hole，ch)，然后在沟道孔中形成沟道结构。

2、然而，随着存储器集成度的进一步提高，沟道孔的深宽比随之增大，刻蚀工艺的难度不断提升，贯穿堆叠结构的多个沟道孔延伸至衬底中，会在衬底中形成多个深浅不一的凹槽(gouging)，进而导致沟道结构的均匀性较差，并会增加对沟道结构进行背面引出的工艺难度。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种半导体结构及其形成方法、存储器系统。

2、为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：

4、提供衬底，并在所述衬底上依次形成掺杂半导体层和堆叠结构；

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【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述沟道结构的所述预设截断处在所述沟道结构的延伸方向上基本位于同一高度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过所述氧化工艺氧化所述沟道孔暴露的所述掺杂半导体层时，所述沟道孔暴露的所述衬底被氧化，并形成第二氧化结构，所述第二氧化结构沿第一方向的尺寸小于所述第一氧化结构沿所述第一方向的尺寸；所述第一方向与所述沟道结构的延伸方向垂直。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构靠近所述掺杂半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述沟道结构的所述预设截断处在所述沟道结构的延伸方向上基本位于同一高度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过所述氧化工艺氧化所述沟道孔暴露的所述掺杂半导体层时，所述沟道孔暴露的所述衬底被氧化，并形成第二氧化结构，所述第二氧化结构沿第一方向的尺寸小于所述第一氧化结构沿所述第一方向的尺寸；所述第一方向与所述沟道结构的延伸方向垂直。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构靠近所述掺杂半导体层的一侧包括半导体层；通过所述氧化工艺氧化所述沟道孔暴露的所述掺杂半导体层时，所述沟道孔暴露的所述半导体层被氧化，并形成第三氧化结构，所述第三氧化结构沿所述第一方向的尺寸小于所述第一氧化结构沿所述第一方向的尺寸。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化工艺包括湿法氧化工艺。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂半导体层的材料包括以下至少之一：多晶硅、多晶锗、多晶硅锗。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂半导体层的掺杂元素包括以下至少之一：磷、砷。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沿位于所述第二部分中的预设截断处截断所述沟道结构，包括：

9.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溢欢，张明康，王欢，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：