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本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、存储器系统，该形成方法包括：提供衬底，并在衬底上依次形成掺杂半导体层和堆叠结构；形成多个贯穿堆叠结构和掺杂半导体层，并延伸至衬底内的沟道孔；通过氧化工艺氧化沟道孔暴露的掺杂半导体层，以形成向沟道孔的内...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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