【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、存储器。
技术介绍
1、随着技术的发展和进步，半导体器件不断朝着小型化、高集成度的方向发展。晶体管作为存储技术的基本单元，其微缩可以进一步实现存储单元的微缩，提高存储单元密度。
2、但是，在微缩的过程中需要同时保证器件性能(比如开态电流)。半导体器件的尺寸缩小，容易导致晶体管的源漏极与半导体材料之间的接触面积减小，接触电阻增大，造成半导体器件的开态电流显著降低，影响半导体器件的运行速度；而为了减小源漏极与半导体材料之间的接触电阻，保证具有足够的开态电流，源漏极与半导体材料之间的接触面积就很难缩小，这成为限制半导体器件尺寸微缩的难题。
技术实现思路
1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体结构及其制备方法、存储器，能够在不增加器件尺寸的前提下，提高器件的开态电流。
2、第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、沟道层，设置在衬底的一侧，至少部分沟道...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层的材料包括氧化物半导体材料；
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底具有第一凹槽，所述第一凹槽的开口朝向所述沟道层所在侧，所述第一凹槽沿平行于所述衬底的第一方向延伸；
4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底的一侧，并覆盖部分第一导电层，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层的材料包括氧化物半导体材料；
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底具有第一凹槽，所述第一凹槽的开口朝向所述沟道层所在侧，所述第一凹槽沿平行于所述衬底的第一方向延伸；
4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底的一侧，并覆盖部分第一导电层，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底的一侧，并覆盖部分所述第一电极，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧；
【专利技术属性】
技术研发人员：刘朝，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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