晶体管及电子设备制造技术

本申请提供了一种晶体管，该晶体管的源极接触掺杂区和漏极接触掺杂区之间设置有p型阱区和n型漂移区，该p型阱区和晶体管的栅极分别位于晶体管的金属氧化物层的两侧，且p型阱区与金属氧化物层的第一面的第一区域接触，栅极与金属氧化物层的第二面的第二区域接触，第二区域在金属氧化物层厚度方向上的投影落入第一区域在金属氧化物层厚度方向上线的投影内，或者两个投影重合。在对栅极上施加电压的情况下，栅极反型产生的载流子可以限定在p型阱区内，从而晶体管的源极和漏极之间的导通特性随栅极上外加电压的变化更加可控，有利于降低该晶体管的静态功耗和热损耗，有利于提高晶体管以及使用该晶体管的电子设备的热稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，具体地，涉及一种晶体管及电子设备。

技术介绍

1、在恒流偏置状态下，使用常规晶体管的功率放大器(poweramplifier)对应的静态功耗较高，功放回退效率较低。并且，晶体管自热效应会形成正向反馈环路，容易导致器件乃至整个电路系统热失控，稳定性差。

技术实现思路

1、本申请提供一种晶体管，该晶体管的栅极反型得到的载流子可以限定在p型阱区内，晶体管的输出特性更加均匀、稳定，该晶体管的静态功耗低、热稳定性好，能量转化效率高。

2、第一方面，提供了一种晶体管，包括：源极、漏极、栅极、金属氧化物层、第一掺杂区、源极接触掺杂区、漏极接触掺杂区、p型阱区、n型漂移区和衬底，该第一掺杂区位于该衬底上，该第一掺杂区为p型掺杂区域；该源极接触掺杂区位于该第一掺杂区和该源极之间并与该源极接触，该漏极接触掺杂区位于该第一掺杂区和该漏极之间并与该漏极接触；该源极接触掺杂区和漏极接触掺杂区为n型掺杂区域；该p型阱区位于该源极接触掺杂区与该第一掺杂区之间并与该源极接触掺杂区接触，该n型漂移区位于该漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极、金属氧化物层、第一掺杂区、源极接触掺杂区、漏极接触掺杂区、p型阱区、n型漂移区和衬底，

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括电荷平衡层，所述电荷平衡层位于所述第一掺杂区与所述n型漂移区之间，所述电荷平衡层分别与所述第一掺杂层和所述n型漂移区接触。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述电荷平衡层的掺杂浓度大于或等于1×1017cm-3且小于或等于1×1020cm-3。

4.根据权利要求2或3所述的晶体管，其特征在于，所述电荷平衡层在所述厚度方向上的尺寸大于或等于50n...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极、金属氧化物层、第一掺杂区、源极接触掺杂区、漏极接触掺杂区、p型阱区、n型漂移区和衬底，

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括电荷平衡层，所述电荷平衡层位于所述第一掺杂区与所述n型漂移区之间，所述电荷平衡层分别与所述第一掺杂层和所述n型漂移区接触。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述电荷平衡层的掺杂浓度大于或等于1×1017cm-3且小于或等于1×1020cm-3。

4.根据权利要求2或3所述的晶体管，其特征在于，所述电荷平衡层在所述厚度方向上的尺寸大于或等于50nm且小于或等于500nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其特征在于，所述源极与所述衬底电连接；

6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括连接区，所述连接区用于连接所述源极与所述衬底，所述连接区包括高掺杂引出区和/或金属区。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管，其特征在于，所述p型阱区的掺杂浓度小于或等于5×1016cm-3。

8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩绍文，姜向中，黄航，焦伟，曾志雄，孙捷，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：