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本申请提供了一种晶体管，该晶体管的源极接触掺杂区和漏极接触掺杂区之间设置有p型阱区和n型漂移区，该p型阱区和晶体管的栅极分别位于晶体管的金属氧化物层的两侧，且p型阱区与金属氧化物层的第一面的第一区域接触，栅极与金属氧化物层的第二面的第二区域...
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