【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高频模块电源，尤其涉及一种tlvr技术中的电感结构及应用其的多相电压调节模块。
技术介绍
1、近年来，随着数据中心，人工智能，超级计算机等领域技术的发展，越来越多的功能强大的asic得到应用，例如cpu、gpu、机器学习加速器、网络交换机、服务器等，它们消耗大量电流，例如达到数千安培，并且其电力需求快速波动。传统上使用多相电压调节器(vr)来供应这种负载。为了满足负载电流不断提升的需求和带宽不断提高的需求，增加了vr的相数及其输出去耦电容器的容值。这些方式在一定程度上改善了传统vr的瞬态响应；然而，由于其较大的输出阻抗、去耦电容器占据的空间以及去耦电容器与负载之间的距离等因素，使得传统vr在瞬态响应方面已经达到性能极限。改善传统vr的其他技术，例如增加开关频率和/或减小电感感值，改善了瞬态响应，但却以效率的降低为代价。反耦合电感技术具有相对较低的漏感感量，因此具有相对较快的瞬态响应；同时反耦合电感具有较高的稳态等效感量，有利于效率的提高；即反耦合电感技术既能满足瞬态性能的要求，又能兼顾效率的提升，因此反耦合技术是vr设计的...
【技术保护点】
1.一种TLVR技术中的电感结构，其特征在于，包括磁芯和至少一个耦合绕组组合，所述耦合绕组组合包括至少一个主绕组和至少一个辅助绕组：
2.根据权利要求1所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组的至少一部分为第一主绕组段，至少一个所述辅助绕组的至少一部分为第一辅助绕组段；
3.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组的全部为第一主绕组段，至少一个所述辅助绕组的全部为第一辅助绕组段。
4.根据权利要求3所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组与至少一个所述辅助绕组的耦合系数大于0.85。
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【技术特征摘要】
1.一种tlvr技术中的电感结构，其特征在于，包括磁芯和至少一个耦合绕组组合，所述耦合绕组组合包括至少一个主绕组和至少一个辅助绕组：
2.根据权利要求1所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组的至少一部分为第一主绕组段，至少一个所述辅助绕组的至少一部分为第一辅助绕组段；
3.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组的全部为第一主绕组段，至少一个所述辅助绕组的全部为第一辅助绕组段。
4.根据权利要求3所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组与至少一个所述辅助绕组的耦合系数大于0.85。
5.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，所述耦合绕组组合包括两个主绕组和至少两个辅助绕组；一个所述主绕组的至少一部分为第三主绕组段，另一个所述主绕组的至少一部分为第四主绕组段；所述第三主绕组段与所述第四主绕组段耦合。
6.根据权利要求5所述的耦合电感结构，其特征在于，第三主绕组段对应的至少一个辅助绕组的至少一部分为第三辅助绕组段，第四主绕组段对应的至少一个辅助绕组的至少一部分为第四辅助绕组段；
7.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，所述耦合绕组组合包括两个主绕组和至少一个辅助绕组；一个所述主绕组为第一主绕组、另一个所述主绕组为第二主绕组；
8.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述耦合绕组组合包括至少两个对称设置的辅助绕组。
9.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述辅助绕组、第一主绕组段和第二主绕组段共面；所述第一主绕组段和所述第二主绕组段分别位于所述辅助绕组的两侧。
10.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述辅助绕组、第一主绕组段和第二主绕组段均为平面形并且两两相互平行。
11.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述第一主绕组的一部分为第三主绕组段，所述第三主绕组段未与所述辅助绕组耦合；所述第一主绕组的一部分为第四主绕组段，所述第四主绕组段未与所述辅助绕组耦合；所述第三主绕组段与所述第四主绕组段耦合。
12.根据权利要求5或11所述的电感结构，其特征在于，所述第三主绕组段与所述第四主绕组段耦合，具体为：所述第三主绕组段...
【专利技术属性】
技术研发人员：张明准，
申请(专利权)人：上海沛塬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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